DSU023N10N3
WXDH
GEÇİŞ ÜCRETİ
100V
281A
100v/2mΩ/281A n-mosfet
Özellikler
• Kullanılan Gelişmiş SGT3 Silikon Teknolojisi
• Son derece düşük dirençli RDS (ON)
• Düşük ters transfer kapasitansları
•% 100 tek nabız çığ enerji testi
•% 100 ΔVDS testi
• PB içermeyen kaplama / halojensiz / rohs uyumlu
Başvuru
• Motor kontrolü ve sürüşü
• Pil yönetim sistemi için şarj/deşarj
• SMP'ler için senkron doğrultucu
VDS | RDS (açık) tip. | İD |
100V | 2mΩ | 281A |
100v/2mΩ/281A n-mosfet
Özellikler
• Kullanılan Gelişmiş SGT3 Silikon Teknolojisi
• Son derece düşük dirençli RDS (ON)
• Düşük ters transfer kapasitansları
•% 100 tek nabız çığ enerji testi
•% 100 ΔVDS testi
• PB içermeyen kaplama / halojensiz / rohs uyumlu
Başvuru
• Motor kontrolü ve sürüşü
• Pil yönetim sistemi için şarj/deşarj
• SMP'ler için senkron doğrultucu
VDS | RDS (açık) tip. | İD |
100V | 2mΩ | 281A |