100V/2mΩ/281A N-MOSFET GEÇİŞ

100V/2mΩ/281A N-MOSFET

Özellikler

• Gelişmiş SGT3 silikon teknolojisi kullanıldı 

• Son derece düşük direnç RDS(açık) 

• Düşük ters transfer kapasitansları 

• %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

• %100 ΔVDS testi 

• Kurşunsuz kaplama / Halojensiz / RoHS uyumlu 

Uygulamalar 

• Motor Kontrolü ve Sürücü 

• Pil Yönetim Sistemi için Şarj/Deşarj 

• SMPS için Senkron Doğrultucu

VDS'ler	RDS(açık)tip.	İD
100V	2mΩ	281A