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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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100v / 2mΩ / 281a N-MOSFET Toll

100V / 2mΩ / 281a N-MOSFET
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100V / 2mΩ / 281a N-MOSFET



Caractéristiques

• Technologie avancée du silicium SGT3 utilisé 

• RDS sur la résistance extrêmement faible (ON) 

• Capacités de transfert inverse faibles 

• Test d'énergie à impulsion à 100% à 100% unique 

• Test de 100% ΔVDS 

• Pb-Free Plating / HalogoGe / ROHS conforme 


Applications 

• Contrôle du moteur et entraînement 

• Charge / décharge pour le système de gestion des batteries 

• Rectifier synchrone pour SMPS


Vds RDS (ON) Typ. IDENTIFIANT
100V 2mΩ 281a


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