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100V/2mΩ/281A N-MOSFET TOLL

100V/2mΩ/281A N-MOSFET
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100 V/2 mΩ/281 A N-MOSFET



Merkmale

• Fortschrittliche SGT3-Siliziumtechnologie eingesetzt 

• Extrem niedriger Einschaltwiderstand RDS(on) 

• Geringe Rückübertragungskapazitäten 

• 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

• 100 % ΔVDS-Test 

• Bleifreie Beschichtung / Halogenfrei / RoHS-konform 


Anwendungen 

• Motorsteuerung und Antrieb 

• Laden/Entladen für Batteriemanagementsystem 

• Synchrongleichrichter für SMPS


VDS RDS(on)typ. AUSWEIS
100V 2mΩ 281A


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