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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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100 V/2mΩ/281a N-Mosfet-Maut

100V/2mΩ/281A N-MOSFET-
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100 V/2mΩ/281a n-mosfet



Merkmale

• Fortgeschrittene Sgt3 -Siliziumtechnologie verwendet 

• Extrem niedrige RDS auf der Resistenz (Ein) 

• Niedrige Umkehrtransferkapazität 

• 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

• 100% ΔVDS -Test 

• Pb-freie Beschichtung / Halogenfrei / ROHS-konform 


Anwendungen 

• Motorsteuerung und Antrieb 

• Ladung/Entladung für das Batteriemanagementsystem 

• Synchroner Gleichrichter für SMPs


VDS RDS (on) Typ. AUSWEIS
100V 2m Ω 281a


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