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DSU023N10N3
WXDH
희생
Donghai_DSU023N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
100V
281A
100V/2mΩ/281A N-MOSFET
특징
• 고급 SGT3 실리콘 기술 활용
• 매우 낮은 온 저항 RDS(on)
• 낮은 역전송 용량
• 100% 단일 펄스 애벌런치 에너지 테스트
• 100% ΔVDS 테스트
• 무연 도금 / 무할로겐 / RoHS 준수
응용
• 모터 제어 및 구동
• 배터리 관리 시스템의 충전/방전
• SMPS용 동기 정류기