TOL N-MOSFET 100V/2mΩ/281A

100V/2mΩ/281A N-MOSFET

Ciri-ciri

• Teknologi silikon SGT3 termaju digunakan 

• RDS pada rintangan yang sangat rendah 

• Kapasiti pemindahan terbalik yang rendah 

• 100% ujian tenaga salji nadi tunggal 

• 100% ujian ΔVDS 

• Penyaduran Bebas Pb / Bebas Halogen / mematuhi RoHS 

Aplikasi 

• Kawalan Motor dan Pandu 

• Caj/Nyahcas untuk Sistem Pengurusan Bateri 

• Penerus Segerak untuk SMPS

VDS	RDS(on)taip.	ID
100V	2mΩ	281A