180A 85V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET DSD040N08N3A TO-252B

Výkonový MOSFET 180A 85V N-channel Enhancement Mode

1 Popis 

Tyto výkonové mosfety v režimu N-kanálového vylepšení využívaly pokročilý design technologie výkopu splite gate, který poskytoval vynikající Rdson a nízký náboj hradla. Což odpovídá standardu RoHS. 

2 Vlastnosti

● Kvalifikace AEC-Q101

● Rychlé přepínání 

● Nízký odpor

● Nízký poplatek za bránu

● Vysoký lavinový proud 

● Nízké zpětné přenosové kapacity

● 100% jednopulzní lavinový energetický test 

● 100% test ΔVDS 

3 Aplikace 

● Synchronní usměrnění v SMPS 

● Pevné spínání a vysokorychlostní obvod

● Elektrické nářadí 

● UPS 

● Ovládání motoru

VDSS	RDS(zapnuto)(TYP)	ID
85V	3,4 mΩ	180A