brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

12V-300V N MOS

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 68A 100V DH140N10D TO-252B 100V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 18A 200V F640 TO-220F F640 TO-220F 200V 18A Specifikace zařízení 640.pdf
120V/25mΩ/36A N-MOSFET DSG270N12N3 TO-220C DSG270N12N3 TO-220C 120V 36A Donghai_DSG270N12N3&DSE270N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
80A 85V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS065N85P DFN5*6-8 DHS065N85P DFN5*6-8 85V 80A Specifikace zařízení DHS065N85P.pdf
150V/9,5mΩ/52A N-MOSFET DHS110N15F TO-220F DHS110N15F TO-220F 150V 52A Donghai+DHS110N15F+Datový list+V1.0.pdf
 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 80A 85V DHS065N85 TO-220C DHS065N85 TO-220C 85V 100A Specifikace zařízení DHS065N85.pdf
30V/2,2mΩ/150A N-MOSFET DTG023N03L TO-220C DTG023N03L TO-220C 30V 150A Donghai_DTG023N03L_Datasheet_V1.0.pdf
45A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS160N100D TO-252B DHS160N100D TO-252B 100V 45A Donghai_DHS160N100D_Datasheet_V2.0.pdf
25A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET 25N10 TO-220C 25N10 TO-220C 100V 25A Specifikace zařízení 25N10.pdf
174A 85V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS030N88E TO-263 DHS030N88E TO-263 85V 174A Specifikace zařízení DHS030N88.pdf
100A 30V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10K TO-252B 30V 100A Donghai_30H10_Datasheet_V1.0.pdf
96A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH033N04P DFN5X6 DH033N04P DFN5X6 40V 96A Donghai_DH033N04P+_Datasheet_V1.0.pdf
8N65 TO-220C 8N65
100V/12mΩ/60A N-MOSFET DSD150N10L3 TO-252B 100V 60A Donghai_DSD150N10L3&DSB150N10L3_Datasheet_V1.0.pdf
Výkonový MOSFET 180A 135V N-channel Enhancement Mode DSG052N14N TO-220C 135V 180A Donghai_DSE050N14N&DSG052N14N_DataSheet_V2.0(1).pdf
DSU047N15NA MÝTNÍ BALENÍ DSU047N15NA
160A 120V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS044N12E TO-263 DHS044N12E TO-263 120V 160A Donghai_DHS044N12&DHS044N12E_Datasheet_V1.0.pdf
100A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH066N06D TO-252B DH066N06D TO-252B 60V 100A Donghai_DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
100V/15mΩ/50A N-MOSFET TO-252B DHS180N10LD TO-252B 100V 50A Donghai_DHS180N10LD_Datasheet_V1.0-SOQ.pdf
 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 145A 60V DH045N06 TO-220C DH045N06 TO-220C 60V 145A Specifikace zařízení DH045N06.pdf

Video o produktu

  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky