未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET »» 12V-300V N MOS
Model:
Balík:
PROTI:
A:
Vybrané produktové řady:

12V-300V n mos

obrázku modelu Balíček V a o datovém listu podrobnosti dotaz Přidat do koše
320A 30V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 TO-220C 30v 320a Zařízení DH012N03 Specifikace.pdf
50A 120V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12D TO-252B 120V 50a Specifikace zařízení DH150N12.pdf
60A 68V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68v 60a Zařízení 50N06B34 Specification.pdf
60A 68V N-kanálový vylepšení režim Power MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07p DFN5*6-8 70V 56a Dh105n07p_datasheet_v1.0 (1) .pdf
60A 68V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHD50N06 TO-252B DHD50N06 TO-252B 68v 60a Zařízení 50N06B34 Specification.pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40V 180a Zařízení DHS020N04D Specifikace.pdf
80a 68V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH072N07E TO-263 DH072N07E TO-263 68v 80a Zařízení DH072N07 Specifikace.pdf
105a 68V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68v 105a Donghai+DHS055N07 & DHS055N07E+Datasheet+V2.0 .pdf
80a 68V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH072N07D TO-252B DH072N07D TO-252B 68v 80a Zařízení DH072N07 Specifikace.pdf
105a 68V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS055N07D TO-252B DHS055N07D TO-252B 68v 95a Donghai+DHS055N07B & DHS055N07D+Datasheet+V2.0 .pdf
12A 100V režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET DH850N10D TO-252B DH850N10D TO-252B 100v 12a Specifikace zařízení DH850N10D (1) .pdf
320a 30V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30v 320a Zařízení DH012N03 Specifikace.pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 TO-220C 60V 145a Zařízení DH045N06 Specifikace.pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 TO-263 80V 180a Specifikace zařízení DH8004 (2) .pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 TO-220C 85v 120a Zařízení DHS045N88 Specifikace-Rev.1.0.pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E TO-263 85v 120a Zařízení DHS045N88 Specifikace-Rev.1.0.pdf
110a 85V režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET DHS055N85E TO-263 DHS055N85E TO-263 85v 110a Zařízení DHS055N85 Specifikace.pdf
100A 60V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60V 100a Dh066n06d_datasheet_v2.0.pdf
238a 60V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH026N06E TO-263 DH026N06E TO-263 60V 238a Zařízení DH026N06 Specifikace.pdf
40a 30V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 TO-252B 30v 40a Dhd80n03_datasheet_v3.0.pdf

Video produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty
    Předložit
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com