未命名 (1) (8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
DU ÄR HÄR: Hem » Produkt » Mosfet » 12V-300V N MOS
Modell:
Paket:
V:
A:
Valda produktlinjer:

12V-300V N MOS

Bildmodellpaket v Datablad a i till beskriver förfrågan Lägg korgen
105A 68V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DHS055N07D TO-252B DHS055N07D TO-252B 68V 95a Donghai+DHS055N07B & DHS055N07D+Datablad+v2.0 .pdf
12A 100V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DH850N10D TO-252B DH850N10D TO-252B 100V 12a Enhet DH850N10D -specifikation (1) .pdf
320A 30V N-kanal förbättringsläge Power MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30V 320a Enhet DH012N03 -specifikation.pdf
120A 98V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DHS046N10D TO-252B DHS046N10D TO-252B 98V 120A Enhet DHS046N10 -specifikation.pdf
320A 30V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 TO-220C 30V 320a Enhet DH012N03 -specifikation.pdf
50A 120V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12D TO-252B 120V 50A Enhet DH150N12 Specifikation.pdf
60A 68V N-kanal förbättringsläge Power MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68V 60a Enhet 50n06b34 specifikation.pdf
60A 68V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70V 56A DH105N07P_DATASHEET_V1.0 (1) .pdf
60A 68V N-kanal förbättringsläge Power MOSFET DHD50N06 TO-252B DHD50N06 TO-252B 68V 60a Enhet 50n06b34 specifikation.pdf
N-kanal förbättringsläge Power MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40V 180A Enhet DHS020N04D -specifikation.pdf
80A 68V N-kanal förbättringsläge Power MOSFET DH072N07E TO-263 DH072N07E Till-263 68V 80a Enhet DH072N07 Specifikation.pdf
105A 68V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E Till-263 68V 105a Donghai+DHS055N07 & DHS055N07E+Datablad+v2.0 .pdf
N-kanalförbättringsläge Power MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E Till-263 85V 120A Enhet DHS045N88 Specifikation-Rev.1.0.pdf
110A 85V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DHS055N85E TO-263 DHS055N85E Till-263 85V 110A Enhet DHS055N85 -specifikation.pdf
238A 60V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DH026N06E TO-263 DH026N06E Till-263 60V 238a Enhet DH026N06 Specifikation.pdf
100A 60V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60V 100a DH066N06D_DATASHEET_V2.0.PDF
N-kanal förbättringsläge Power MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 TO-220C 60V 145a Enhet DH045N06 Specifikation.pdf
N-kanalförbättringsläge Power MOSFET 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 Till-263 80v 180A Enhet Dh8004 -specifikation (2) .pdf
N-kanal förbättringsläge Power MOSFET 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 TO-220C 85V 120A Enhet DHS045N88 Specifikation-Rev.1.0.pdf
45A 100V N-kanal förbättringsläge Power MOSFET DHS160N100D TO-252B DHS160N100D TO-252B 100V 45a DHS160N100D_DATASHEET_V2.0.PDF

Produktvideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registrera dig för vårt nyhetsbrev
  • Gör dig redo för den framtida
    registreringen för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt till din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology av Leadong.com