未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

12 V-300 V N-MOS

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
110A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS055N85 TO-220C DHS055N85 TO-220C 85 V 110A Specyfikacja urządzenia DHS055N85.pdf
OPŁATA N-MOSFET 100V/2mΩ/281A DSU023N10N3 MYTO 100 V 281A DSU023N10N3_Arkusz danych_V1.0.pdf
180A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS020N88 TO-220C DHS020N88 TO-220C 85 V 180A DHS020N88&DHS020N88E&DHS020N88I_Arkusz danych_V2.0.pdf
61A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH16N06 TO-220C DH16N06 TO-220C 60 V 61A Specyfikacja urządzenia DH16N06.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 TO-220C 80 V 180A Specyfikacja urządzenia DH8004 (2).pdf
240A 100 V tryb wzmocnienia kanału N MOSFET mocy DHS025N10 TO-220C DHS025N10 TO-220C 100 V 240A Specyfikacja urządzenia DHS025N10.pdf
30A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHZ24 TO-220C DHZ24 TO-220C 60 V 30A Specyfikacja urządzenia DHZ24B31.pdf
19A 80V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80 V 19A Specyfikacja urządzenia DH300N08.pdf
12A 100 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D TO-252B 100 V 12A Specyfikacja urządzenia DH1K1N10.pdf
120A 80V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C i TO-263 DSG047N08N3 TO-220C 80 V 120A DSG047N08N3&DSE047N08N3_Arkusz danych_V1.0.pdf
80A 75V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET D7509 TO-220C D7509 TO-220C 75 V 80A Specyfikacja urządzenia D7509.pdf
300A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS010N04U PAKIET OPŁAT DHS010N04U MYTO 40 V 300A DHS010N04U_Arkusz danych_V1.0.pdf
112A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 TO-220C 68 V 112A DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf
210A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET N6005/FN6005/EN6005 N6005 TO-220C 60 V 180A Specyfikacja urządzenia N6005B40.pdf
180A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E TO-263 60 V 180A  DHS025N06&DHS025N06E_Arkusz danych_V2.0.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68 V 100A Specyfikacja urządzenia DH060N07D.pdf
Epitaksjalny tranzystor krzemowy NPN 2SD882 TO-126 2SD882 TO-126 40 V 3A 英文版D882技术规格书.pdf
63A 60V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia DH132N06/DH132N06F/DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
120A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH10H037R TO-220C DH10H037R TO-220C 100 V 120A Specyfikacja urządzenia DH10H037R.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 TO-220C 85 V 120A Specyfikacja urządzenia DHS045N88-Rev.1.0.pdf

Film o produkcie

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com