未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

12 V-300 V N-MOS

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
33A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60 V 33A Specyfikacja urządzenia DH240N06L Rev.2.0.pdf
60A 100 V tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET DH0159 TO-220C DH0159 TO-220C 100 V 59A Specyfikacja urządzenia DH0159B76(1).pdf
300A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DSU021N10NA PAKIET OPŁAT DSU021N10NA MYTO 100 V 300A Urządzenie+DSU021N10NA+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
240A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS022N06 TO-220C DHS022N06 TO-220C 60 V 180A Donghai+DHS022N06 i DHS022N06E+karta katalogowa+V2.0.pdf
65A 100V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
80A 80V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH80N08 TO-220C DH80N08 TO-220C 80 V 80A Urządzenie DH80N08 B22 Specyfikacja.pdf
120A100V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia D120N10 TO-220C 100 V 120A Specyfikacja urządzenia D120N10ZR.pdf
80A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH072N07 TO-220C DH072N07 TO-220C 68 V 80A Specyfikacja urządzenia DH072N07.pdf
DHS025N06B / DHS025N06D DHS025N06B/DHS025N06D
54A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH060N03R DFN3×3-8L DH060N03R DFN3X3 30 V 54A Specyfikacja urządzenia DH060N03R.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 180A 100V DHS025N10U TOLL DHS025N10U MYTO 100 V 180A Urządzenie+DHS025N10U+Specyfikacja+V2.0.pdf
80A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH045N04P DFN5X6 PAKIET DH045N04P DFN5X6 40 V 80A Specyfikacja urządzenia DH045N04P(1).pdf
Pakiet OPŁAT DSU010N04LA DSU010N04LA
120A 70V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS130N06D TO-252B DHS130N06D TO-252B 70 V 120A Donghai+DHS130N06B&DHS130N06D+karta katalogowa+V3.0 (1).pdf
DSP007N03LA DFN5X6 DSP007N03LA
DSG150N10L3 TO-220 DSG150N10L3
100A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 150A 150V DSG059N15NA TO-220C DSG059N15NA TO-220C 150 V 150A Specyfikacja urządzenia DSG059N15NA.pdf
120A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DSG048N08N3 TO-220C DSG048N08N3 TO-220C 85 V 125A Urządzenie+DSG048N08N3+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
18A 200V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET D18N20 TO-252B D18N20 TO-252B 200 V 18A Specyfikacja urządzenia D18N20 Rev.1.0.pdf

Film o produkcie

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com