未命名 (1) (8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » Mosfet » 12V-300V N MOS opłat 300A 40V N-Kananned Enhancement Tryb Power MOSFET DHS010N04U Pakiet

załadunek

Udostępnij do:
Przycisk udostępniania na Facebooku
Przycisk udostępniania na Twitterze
Przycisk udostępniania linii
Przycisk udostępniania WeChat
Przycisk udostępniania LinkedIn
Przycisk udostępniania Pinteresta
przycisk udostępniania WhatsApp
przycisk udostępniania shaRethis

300A 40 V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET DHS010N04U Pakiet opłat

300A 40 V Tryb wzmacniający N-Kanan Neal Moc MOSFET
Dostępność:
Ilość:
Pytać się Dodaj do kosza

MOSFET MOSFET 300A 40V NEKANLEM


1 Opis 

Ten tryb wzmacniający kanał N MOSFET wykorzystuje technologię zaawansowanej dzielonej bramy, która zapewnia jednocześnie doskonałą ładunek RDSON i niską bramę. Co jest zgodne ze standardem Rohs. 


2 funkcje 

● Niskie opór 

● Niski ładunek bramki 

● Szybkie przełączanie 

● Niskie pojemności transferu odwrotnego

● 100% testu energii lawinowej pojedynczej pulsu 

● Test 100% ΔVDS


3 aplikacje

● Aplikacje przełączające zasilanie 

● Zarządzanie energią dla systemów falowników 

● Zarządzanie baterią


VDSS RDS (ON) (Typ) ID
40v 0,8 mΩ 300A


Poprzedni: 
Następny: 
MOSFET MOSFET 300A 40V NEKANLEM
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zarejestruj się w naszym biuletynie
  • Przygotuj się na przyszłą
    rejestrację na nasz biuletyn, aby uzyskać aktualizacje bezpośrednio do skrzynki odbiorczej
    Składać
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com