300A 40V โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-channel Power MOSFET DHS010N04U แพคเกจค่าผ่านทาง

300A 40V N-channel พลัง MOSFET โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ

1 คำอธิบาย 

MOSFET พลังงานโหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-channel นี้ใช้เทคโนโลยี Split Gate Trench ขั้นสูง ซึ่งให้การชาร์จ Rdson และ Low Gate ที่ยอดเยี่ยมในเวลาเดียวกัน ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS 

2 คุณสมบัติ 

● ความต้านทานต่ำ 

● ค่าเกตต่ำ 

● การสลับอย่างรวดเร็ว 

● ความจุการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ

● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100% 

● การทดสอบ ΔVDS 100%

3 การใช้งาน

● แอปพลิเคชันการเปลี่ยนพลังงาน 

● การจัดการพลังงานสำหรับระบบอินเวอร์เตอร์ 

● การจัดการแบตเตอรี่

วีดีเอสเอส	RDS (บน) (ประเภท)	บัตรประจำตัวประชาชน
40V	0.8mΩ	300A