300A 40V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET DHS010N04U ÜCRET PAKETİ

300A 40V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama 

Bu N-kanal geliştirme modu gücü MOSFET, aynı anda mükemmel Rdson ve düşük Geçit şarjı sağlayan gelişmiş Split Gate Trench teknolojisini kullanır. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler 

● Düşük direnç 

● Düşük kapı ücreti 

● Hızlı geçiş 

● Düşük ters transfer kapasitansları

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

● %100 ΔVDS testi

3 Uygulama

● Güç anahtarlama uygulamaları 

● İnvertör sistemleri için güç yönetimi 

● Pil yönetimi

VDSS	RDS(açık)(TİP)	İD
40V	0.8mΩ	300A