Kullanılabilirliği: | |
---|---|
Miktar: | |
DHS010N04U
WXDH
GEÇİŞ ÜCRETİ
40V
300A
300A 40V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bu n-kanal geliştirme modu Power MOSFET, aynı anda mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağlayan gelişmiş bölünmüş kapı hendek teknolojisini kullanır. ROHS standardı ile uyumludur.
2 Özellik
● Direnç düşük
● Düşük kapı şarjı
● Hızlı anahtarlama
● Düşük ters transfer kapasitansları
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● Güç değiştirme uygulamaları
● İnvertör sistemleri için güç yönetimi
● Pil yönetimi
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
40V | 0.8mΩ | 300A |
300A 40V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bu n-kanal geliştirme modu Power MOSFET, aynı anda mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağlayan gelişmiş bölünmüş kapı hendek teknolojisini kullanır. ROHS standardı ile uyumludur.
2 Özellik
● Direnç düşük
● Düşük kapı şarjı
● Hızlı anahtarlama
● Düşük ters transfer kapasitansları
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● Güç değiştirme uygulamaları
● İnvertör sistemleri için güç yönetimi
● Pil yönetimi
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
40V | 0.8mΩ | 300A |