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300A 40V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET DHS010N04U Toll-Paket

300A 40V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET-
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300A 40V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung 

Dieser N-Kanal-Verbesserungsmodus-Power MOSFET verwendet die fortschrittliche Split-Gate-Grabentechnologie, die gleichzeitig eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung bietet. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● schnelles Umschalten 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test


3 Anwendungen

● Stromschaltanwendungen 

● Stromverwaltung für Wechselrichtersysteme 

● Batteriemanagement


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
40V 0,8 mΩ 300a


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