300 A 40 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET
1 Beschreibung
Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Anreicherungsmodus nutzt die fortschrittliche Split-Gate-Trench-Technologie, die gleichzeitig einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung bietet. Was dem RoHS-Standard entspricht.
2 Funktionen
● Geringer Widerstand
● Niedrige Gate-Ladung
● Schnelles Umschalten
● Geringe Rückübertragungskapazitäten
● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest
● 100 % ΔVDS-Test
3 Anwendungen
● Leistungsschaltanwendungen
● Energiemanagement für Wechselrichtersysteme
● Batteriemanagement
| VDSS |
RDS(ein)(TYP) |
AUSWEIS |
| 40V |
0,8 mΩ |
300A |