300A 40V מצב שיפור N-channel Power MOSFET
1 תיאור
MOSFET במצב שיפור N-channel זה משתמש בטכנולוגיית Split Gate Trench מתקדמת, המספקת Rdson מעולה וטעינת שער נמוכה בו זמנית. מה שמתאים לתקן RoHS.
2 תכונות
● התנגדות נמוכה
● טעינת שער נמוכה
● מעבר מהיר
● קיבולי העברה הפוכה נמוכים
● 100% בדיקת אנרגיית מפולת חד פעמית
● 100% בדיקת ΔVDS
3 יישומים
● יישומי החלפת חשמל
● ניהול צריכת חשמל למערכות אינוורטר
● ניהול סוללות
| VDSS |
RDS(on)(TYP) |
תְעוּדַת זֶהוּת |
| 40V |
0.8mΩ |
300A |