300A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Περιγραφή
Αυτό το τροφοδοτικό MOSFET λειτουργίας βελτίωσης N καναλιών χρησιμοποιεί προηγμένη τεχνολογία Split Gate Trench, η οποία παρέχει εξαιρετική φόρτιση Rdson και χαμηλή φόρτιση Gate ταυτόχρονα. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS.
2 Χαρακτηριστικά
● Χαμηλή αντίσταση
● Χαμηλή χρέωση πύλης
● Γρήγορη εναλλαγή
● Χαμηλές χωρητικότητες ανάστροφης μεταφοράς
● Δοκιμή ενέργειας χιονοστιβάδας 100% ενός παλμού
● Δοκιμή ΔVDS 100%.
3 Εφαρμογές
● Εφαρμογές μεταγωγής ισχύος
● Διαχείριση ισχύος για συστήματα inverter
● Διαχείριση μπαταρίας
| VDSS |
RDS(ενεργό)(TYP) |
ταυτότητα |
| 40V |
0,8mΩ |
300Α |