300A 40V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET
1 Beskrivelse
Denne N-kanal forbedringstilstand power MOSFET bruger avanceret Split Gate Trench teknologi, som giver fremragende Rdson og lav Gate opladning på samme tid. Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden.
2 funktioner
● Lav modstand
● Lav portladning
● Hurtigt skifte
● Lave omvendte overførselskapacitanser
● 100 % enkeltpuls lavineenergitest
● 100 % ΔVDS-test
3 Ansøgninger
● Strømskifteapplikationer
● Strømstyring til invertersystemer
● Batteristyring
| VDSS |
RDS(on)(TYP) |
ID |
| 40V |
0,8 mΩ |
300A |