Disponibilidad MOSFET: | |
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Cantidad: | |
DHS010N04U
Wxdh
PEAJE
40V
300A
300A 40V N-Canal Modo de mejora MOSFET
1 descripción
Este modo de mejora del canal N, MOSFET, MOSFET utiliza la tecnología avanzada de zanja de puerta dividida, que proporciona una excelente carga de RDSON y baja puerta al mismo tiempo. Que concuerda con el estándar ROHS.
2 características
● Bajo en resistencia
● carga de puerta baja
● Cambio rápido
● Capacitancias de transferencia inversa bajas
● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%
● Prueba de 100% ΔVDS
3 aplicaciones
● Aplicaciones de conmutación de encendido
● Gestión de energía para sistemas de inversores
● Gestión de la batería
VDSS | RDS (ON) (typ) | IDENTIFICACIÓN |
40V | 0.8mΩ | 300A |
300A 40V N-Canal Modo de mejora MOSFET
1 descripción
Este modo de mejora del canal N, MOSFET, MOSFET utiliza la tecnología avanzada de zanja de puerta dividida, que proporciona una excelente carga de RDSON y baja puerta al mismo tiempo. Que concuerda con el estándar ROHS.
2 características
● Bajo en resistencia
● carga de puerta baja
● Cambio rápido
● Capacitancias de transferencia inversa bajas
● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%
● Prueba de 100% ΔVDS
3 aplicaciones
● Aplicaciones de conmutación de encendido
● Gestión de energía para sistemas de inversores
● Gestión de la batería
VDSS | RDS (ON) (typ) | IDENTIFICACIÓN |
40V | 0.8mΩ | 300A |