300A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Paglalarawan
Ang N-channel enhancement mode power MOSFET na ito ay gumagamit ng advanced na Split Gate Trench na teknolohiya, na nagbibigay ng mahusay na Rdson at mababang Gate charge sa parehong oras. Alin ang naaayon sa pamantayan ng RoHS.
2 Mga Tampok
● Mababa ang resistensya
● Mababang gate charge
● Mabilis na paglipat
● Mababang reverse transfer capacitances
● 100% single pulse avalanche energy test
● 100% ΔVDS test
3 Aplikasyon
● Power switching application
● Power management para sa mga inverter system
● Pamamahala ng baterya
| VDSS |
RDS(on)(TYP) |
ID |
| 40V |
0.8mΩ |
300A |