180A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET
1 Опис
Ці потужні MOSFET з N-канальним режимом покращення використовували передову конструкцію технології Splite Gate, що забезпечувало чудовий Rdson і низький заряд затвора. Що відповідає стандарту RoHS.
2 Особливості
● Швидке перемикання
● Низький опір
● Низький заряд затвора
● Високий лавинний струм
● Низькі ємності зворотного перенесення
● 100% одноімпульсне тестування енергії лавини
● 100% тест ΔVDS
3 Додатки
● Програми для перемикання живлення
● Інверторна система управління
● Електроінструменти
● Автомобільна електроніка
| VDSS |
RDS(увімкнено)(TYP) |
ID |
| 60В |
2,3 мОм |
180А |