MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 240A 60V DHS022N06 TO-220C

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 180 A y 60 V

1 Descripción 

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de puerta Splite, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Cambio rápido 

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Alta corriente de avalancha 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de energía 

● Sistema de gestión de inversores. 

● herramientas eléctricas 

● Electrónica automotriz

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
60V	2,3 mΩ	180A