240 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS022N06 TO-220C

180 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung 

Diese Leistungs-Mosfets im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Design mit Splite-Gate-Technologie und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Hoher Lawinenstrom 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen 

● Leistungsschaltanwendungen 

● Wechselrichter-Managementsystem 

● Elektrowerkzeuge 

● Automobilelektronik

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
60V	2,3 mΩ	180A