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DHS022N06
Wxdh
DHS022N06
To-220c
60 V
180a
180A 60V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET
1 Beschreibung
Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
2 Merkmale
● schnelles Umschalten
● Niedrig des Widerstands
● Ladung mit niedriger Gate
● hoher Lawinenstrom
● Niedrige Umkehrtransferkapazität
● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest
● 100% ΔVDS -Test
3 Anwendungen
● Stromschaltanwendungen
● Inverter -Management -System
● Elektrowerkzeuge
● Automobilelektronik
VDSS | RDS (ON) (Typ) | AUSWEIS |
60 V | 2,3 mΩ | 180a |
180A 60V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET
1 Beschreibung
Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
2 Merkmale
● schnelles Umschalten
● Niedrig des Widerstands
● Ladung mit niedriger Gate
● hoher Lawinenstrom
● Niedrige Umkehrtransferkapazität
● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest
● 100% ΔVDS -Test
3 Anwendungen
● Stromschaltanwendungen
● Inverter -Management -System
● Elektrowerkzeuge
● Automobilelektronik
VDSS | RDS (ON) (Typ) | AUSWEIS |
60 V | 2,3 mΩ | 180a |