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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET di potenza DHS022N06 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 240 A 60 V

MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 240 A 60 V
Disponibilità:
Quantità:

MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 180 A 60 V


1 Descrizione 

Questi mosfet di potenza in modalità di potenziamento a canale N utilizzavano un design avanzato della tecnologia Splite gate, fornivano un eccellente Rdson e una bassa carica del gate. Che è conforme allo standard RoHS. 


2 Caratteristiche 

● Commutazione rapida 

● Bassa resistenza 

● Carica di gate bassa 

● Elevata corrente da valanga 

● Basse capacità di trasferimento inverso 

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%.

● Test ΔVDS al 100%. 


3 applicazioni 

● Applicazioni di commutazione di potenza 

● Sistema di gestione dell'inverter 

● Utensili elettrici 

● Elettronica automobilistica

VDSS RDS(acceso)(TIPO) ID
60 V 2,3 mΩ 180A


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