240A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS022N06 TO-220C

180A 60V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET

1 Kuvaus 

Näissä N-kanavan tehostustilan tehomosfeteissa käytettiin edistynyttä Splitte gate -tekniikkaa, mikä tarjosi erinomaisen Rdsonin ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen. 

2 Ominaisuudet 

● Nopea vaihto 

● Alhainen vastus 

● Matala portin lataus 

● Suuri lumivyöryvirta 

● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit 

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti

● 100 % ΔVDS-testi 

3 Sovellukset 

● Virrankytkentäsovellukset 

● Invertterin hallintajärjestelmä 

● Sähkötyökalut 

● Autoelektroniikka

VDSS	RDS(päällä)(TYP)	ID
60V	2,3 mΩ	180A