240A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS022N06 TO-220C

Výkonový MOSFET 180A 60V N-channel Enhancement Mode

1 Popis 

Tyto výkonové mosfety s vylepšeným režimem N-channel využívaly pokročilý design technologie Splite gate, který poskytoval vynikající Rdson a nízký náboj hradla. Což odpovídá standardu RoHS. 

2 Vlastnosti 

● Rychlé přepínání 

● Nízký odpor 

● Nízký poplatek za bránu 

● Vysoký lavinový proud 

● Nízké zpětné přenosové kapacity 

● 100% jednopulzní lavinový energetický test

● 100% test ΔVDS 

3 Aplikace 

● Aplikace pro přepínání napájení 

● Systém řízení měniče 

● Elektrické nářadí 

● Automobilová elektronika

VDSS	RDS(zapnuto)(TYP)	ID
60V	2,3 mΩ	180A