portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet tässä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET » 12V-300V N MOS » 180A 85V N-kanavainen lisälaitetila Virta MOSFET DHS020N88 TO-220C

lastaus

Jaa:
Facebookin jakamispainike
Twitterin jakamispainike
linjanjakopainike
wechatin jakamispainike
linkedinin jakamispainike
pinterestin jakamispainike
whatsapp jakamispainike
jaa tämä jakamispainike

180A 85V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS020N88 TO-220C

180A 85V N-kanavainen Enhancement Mode Power MOSFET
Saatavuus:
Määrä:

180A 85V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET


1 Kuvaus 


Näissä N-kanavan tehostustilan tehomosfeteissa käytettiin edistynyttä splitte gate -kaivannon tekniikkaa, mikä tarjosi erinomaisen Rdsonin ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen. 


2 Ominaisuudet 

● Nopea vaihto 

● Alhainen vastus 

● Matala portin lataus 

● Suuri lumivyöryvirta

● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti 

● 100 % ΔVDS-testi 


3 Sovellukset 

● Synkroninen tasasuuntaus SMPS:ssä 

● Kova kytkentä ja suurnopeuspiiri 

● Sähkötyökalut 

● UPS

● Moottorin ohjaus


VDSS RDS(päällä)(TYP) ID
85V 1,9 mΩ 180A


Edellinen: 
Seuraavaksi: 
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi