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DHS020N88
Wxdh
DHS020N88
To-220c
Donghai_dhs020n88 & dhs020n88e & dhs020n88i_datasheet_v2.0.pdf
85 V
180a
180a 85 V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET
1 Beschreibung
Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
2 Merkmale
● schnelles Umschalten
● Niedrig des Widerstands
● Ladung mit niedriger Gate
● hoher Lawinenstrom
● Niedrige Umkehrtransferkapazität
● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest
● 100% ΔVDS -Test
3 Anwendungen
● Synchrone Korrektur in SMPs
● Hartschalter und Hochgeschwindigkeitskreislauf
● Elektrowerkzeuge
● ups
● Motorsteuerung
VDSS | RDS (ON) (Typ) | AUSWEIS |
85 V | 1,9 mΩ | 180a |
180a 85 V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET
1 Beschreibung
Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
2 Merkmale
● schnelles Umschalten
● Niedrig des Widerstands
● Ladung mit niedriger Gate
● hoher Lawinenstrom
● Niedrige Umkehrtransferkapazität
● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest
● 100% ΔVDS -Test
3 Anwendungen
● Synchrone Korrektur in SMPs
● Hartschalter und Hochgeschwindigkeitskreislauf
● Elektrowerkzeuge
● ups
● Motorsteuerung
VDSS | RDS (ON) (Typ) | AUSWEIS |
85 V | 1,9 mΩ | 180a |