180 A 135 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET DSG052N14N TO-220C

180A 135V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET

1 Kuvaus

Tämä N-kanavainen tehostustilateho MOSFET hyödyntää edistynyttä Split Gate Trench -tekniikkaa, joka tarjoaa erinomaisen Rdson-latauksen ja alhaisen Gate-latauksen samanaikaisesti. Joka on RoHS-standardin mukainen. 

2 Ominaisuudet 

● Alhainen vastus 

● Matala portin lataus 

● Nopea vaihto 

● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit 

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti 

● 100 % ΔVDS-testi 

3 Sovellukset 

● Moottorin ohjaus ja käyttö 

● Akun hallinta 

● UPS (Uninterruptible Power Supplies)

VDSS	RDS(päällä)(TYP)	ID	PAKETTI
135V	3,9 mΩ	180A	-220C
135V	3,7 mΩ	180A	TO-263