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180a 135V N-Kanal-Verbesserungsmodus MOSFET DSG052N14N TO-220C

Dieser N-Kanal-Verbesserungsmodus-Power MOSFET verwendet die fortschrittliche Split-Gate-Grabentechnologie, die gleichzeitig eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung bietet. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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180a 135V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung

Dieser N-Kanal-Verbesserungsmodus-Power MOSFET verwendet die fortschrittliche Split-Gate-Grabentechnologie, die gleichzeitig eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung bietet. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● schnelles Umschalten 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● Motorsteuerung und Antrieb 

● Batteriemanagement 

● UPS (uninterpulierbare Stromversorgungen)

VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS PAKET
135V 3,9 mΩ 180a To-220c
135V 3,7 mΩ 180a To-263


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