180A Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N 135 V Power MOSFET DSG052N14N TO-220C

180A 135V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Περιγραφή

Αυτό το τροφοδοτικό MOSFET σε λειτουργία βελτίωσης N-καναλιών χρησιμοποιεί προηγμένη τεχνολογία Split Gate Trench, η οποία παρέχει εξαιρετική φόρτιση Rdson και χαμηλή φόρτιση Gate ταυτόχρονα. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS. 

2 Χαρακτηριστικά 

● Χαμηλή αντίσταση 

● Χαμηλή χρέωση πύλης 

● Γρήγορη εναλλαγή 

● Χαμηλές χωρητικότητες ανάστροφης μεταφοράς 

● Δοκιμή ενέργειας χιονοστιβάδας 100% ενός παλμού 

● Δοκιμή ΔVDS 100%. 

3 Εφαρμογές 

● Έλεγχος κινητήρα και κίνηση 

● Διαχείριση μπαταρίας 

● UPS (Αδιάλειπτα Τροφοδοτικά)

VDSS	RDS(ενεργό)(TYP)	ταυτότητα	ΠΑΚΕΤΟ
135 V	3,9 mΩ	180Α	TO-220C
135 V	3,7 mΩ	180Α	ΤΟ-263