hek
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
U bent hier: Thuis » Producten » MOSFET » 12V-300V N-MOS » 180A 135V N-kanaal Enhancement Mode Power MOSFET DSG052N14N TO-220C

laden

Deel met:
knop voor delen op Facebook
Twitter-deelknop
knop voor lijn delen
knop voor het delen van wechat
linkedin deelknop
knop voor het delen van Pinterest
WhatsApp-knop voor delen
deel deze deelknop

180A 135V N-kanaal Enhancement Mode Power MOSFET DSG052N14N TO-220C

Deze N-kanaals vermogens-MOSFET maakt gebruik van geavanceerde Split Gate Trench-technologie, die tegelijkertijd uitstekende Rdson en lage Gate-lading biedt. Welke in overeenstemming is met de RoHS-norm.
Beschikbaarheid:
Aantal:

180A 135V N-kanaalverbeteringsmodus Vermogens-MOSFET


1 Beschrijving

Deze N-kanaals vermogens-MOSFET maakt gebruik van geavanceerde Split Gate Trench-technologie, die tegelijkertijd uitstekende Rdson en lage Gate-lading biedt. Welke in overeenstemming is met de RoHS-norm. 


2 Kenmerken 

● Weinig weerstand 

● Lage poortlading 

● Snel schakelen 

● Lage omgekeerde overdrachtscapaciteiten 

● 100% lawine-energietest met enkele puls 

● 100% AVDS-test 


3 toepassingen 

● Motorbesturing en aandrijving 

● Batterijbeheer 

● UPS (Uninterruptible Power Supplies)

VDSS RDS(aan)(TYP) Identiteitskaart PAKKET
135V 3,9 mΩ 180A TO-220C
135V 3,7 mΩ 180A TO-263


Vorig: 
Volgende: 
  • Schrijf u in voor onze nieuwsbrief
  • bereid u voor op de toekomst.
    Meld u aan voor onze nieuwsbrief om updates rechtstreeks in uw inbox te ontvangen