180A 135V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DSG052N14N TO-220C

180A 135V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Նկարագրություն

Այս N-ալիքի ընդլայնման ռեժիմի հզոր MOSFET-ը օգտագործում է առաջադեմ Split Gate Trench տեխնոլոգիա, որն ապահովում է հիանալի Rdson և միևնույն ժամանակ ցածր Gate լիցքավորում: Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին: 

2 Հատկանիշներ 

● Ցածր դիմադրություն 

● Դարպասի ցածր լիցքավորում 

● Արագ միացում 

● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ 

● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում 

● 100% ΔVDS թեստ 

3 Դիմումներ 

● Շարժիչի կառավարում և շարժիչ 

● Մարտկոցի կառավարում 

● UPS (անխափան սնուցման սարքեր)

VDSS	RDS(միացված)(TYP)	ID	ՓԱԹԵԹ
135 Վ	3,9 mΩ	180 Ա	TO-220C
135 Վ	3,7 mΩ	180 Ա	ՏՕ-263