ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом » Продукция » МОСФЕТ » 12 В-300В N MOS » 180A 135V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DSG052N14N TO-220C

загрузка

Поделиться с:
Кнопка обмена Facebook
Кнопка обмена Twitter
Кнопка обмена строкой
Кнопка обмена WeChat
Кнопка совместного использования LinkedIn
Pinterest кнопка совместного использования
Кнопка обмена WhatsApp
Кнопка обмена Sharethis

180A 135V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DSG052N14N TO-220C

В этом мощном MOSFET в режиме N-канала используется расширенная технология траншеи сплит-затвора, которая обеспечивает отличную заряду RDSON и Low Gate одновременно. Который согласуется со стандартом ROHS.
Доступность:
количество:

180A 135V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET


1 Описание

В этом мощном MOSFET в режиме N-канала используется расширенная технология траншеи сплит-затвора, которая обеспечивает отличную заряду RDSON и Low Gate одновременно. Который согласуется со стандартом ROHS. 


2 функции 

● Низкое сопротивление 

● Зарядки с низким затвором 

● Быстрое переключение 

● Низкие емкости обратного переноса 

● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной 

● Тест 100% ΔVDS 


3 приложения 

● управление двигателем и привод 

● Управление аккумуляторами 

● UPS (непрерывные источники питания)

VDSS RDS (ON) (тип) ИДЕНТИФИКАТОР УПАКОВКА
135V 3,9 МОм 180a До-220c
135V 3,7 МОм 180a До 263


Предыдущий: 
Следующий: 
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик