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45A 100V Modo de aprimoramento de canal n

Esses MOSFETs de energia de aprimoramento de canal N usavam o design avançado da tecnologia SGT Trench, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com a
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45A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET


1 Descrição

Esses MOSFETs de energia de aprimoramento de canal N usavam o design avançado da tecnologia SGT Trench, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS. 


2 recursos 

● baixa resistência 

● Baixa carga do portão 

● Comutação rápida 

● Capacitâncias de transferência reversa baixa 

● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único 

● Teste 100% ΔVDS 


3 aplicações 

● Aplicativos de comutação de energia 

● Conversores DC-DC 

● Controle completo da ponte


VDSS Rds (on) (Typ) EU IA
100V 18mΩ 45a


download Dispositivo DHS180N10L Specification.pdf

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