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45A 100V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DHS160N100D TO-252B

Diese N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Sgt-Graben-Technologiedesign und boten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Die mit der ROHS -Standardverfügbarkeit übereinstimmen
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45A 100V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung

Diese N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Sgt-Graben-Technologiedesign und boten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● schnelles Umschalten 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● Stromschaltanwendungen 

● DC-DC-Konverter 

● Vollbrückenkontrolle


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
100V 18mΩ 45a


herunterladen Gerät DHS180N10L Spezifikation.pdf

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