未命名(1)(8) (1)
ประตู
มณฑลเจียงซูตงไห่เซมิคอนดักเตอร์บจก
คุณอยู่ที่นี่: บ้าน » สินค้า » มอสเฟต » 12V-300V ไม่มีมอส » 45A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS160N100D TO-252B

กำลังโหลด

แบ่งปันไปที่:
ปุ่มแชร์เฟสบุ๊ค
ปุ่มแชร์ทวิตเตอร์
ปุ่มแชร์ไลน์
ปุ่มแชร์วีแชท
ปุ่มแชร์ของ LinkedIn
ปุ่มแชร์ Pinterest
ปุ่มแชร์ Whatsapp
แชร์ปุ่มแชร์นี้

45A 100V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET DHS160N100D TO-252B

มอสเฟตกำลังโหมดการเพิ่มประสิทธิภาพโหมด N-channel เหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องลึก SGT ขั้นสูง ซึ่งให้ Rdson ที่ยอดเยี่ยมและการชาร์จเกตต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS
ความพร้อมจำหน่าย:
ปริมาณ:
สอบถาม เพิ่มลงตะกร้า

  • DHS160N100D

  • WXDH

  • TO-252B

  • Donghai_DHS160N100D_Datasheet_V2.0.pdf

  • 100V

  • 45เอ

45A 100V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET พลังงาน


1 คำอธิบาย

มอสเฟตกำลังโหมดการเพิ่มประสิทธิภาพโหมด N-channel เหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องลึก SGT ขั้นสูง ซึ่งให้ Rdson ที่ยอดเยี่ยมและการชาร์จเกตต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS 


2 คุณสมบัติ 

● ความต้านทานต่ำ 

● ค่าเกตต่ำ 

● การสลับอย่างรวดเร็ว 

● ความจุการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ 

● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100% 

● การทดสอบ ΔVDS 100% 


3 การใช้งาน 

● แอปพลิเคชันการเปลี่ยนพลังงาน 

● ตัวแปลง DC-DC 

● การควบคุมบริดจ์แบบเต็ม


วีดีเอสเอส RDS (บน) (ประเภท) บัตรประจำตัวประชาชน
100V 18mΩ 45เอ


ดาวน์โหลด ข้อมูลจำเพาะของอุปกรณ์ DHS180N10L.pdf

ก่อนหน้า: 
ต่อไป: 
มอสเฟต การออกแบบเทคโนโลยีร่องลึก SGT ขั้นสูง MOSFET มอสเฟตแรงดันต่ำ ขายร้อน WXDH มอสเฟต
  • มณฑลเจียงซูตงไห่เซมิคอนดักเตอร์บจก
  • ลงทะเบียนเพื่อรับจดหมายข่าวของเรา
  • เตรียมพร้อมสำหรับอนาคต
    สมัครรับจดหมายข่าวของเราเพื่อรับข้อมูลอัปเดตตรงถึงกล่องจดหมายของคุณ
    ส่ง
ลิขสิทธิ์© 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd เทคโนโลยีโดย leadong.com