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100V/15MΩ/50A N-MOSFET TO-252B

Esses MOSFETs de energia de aprimoramento de canal N usavam o design avançado da tecnologia SGT Trench, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com a
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100V/15MΩ/50A N-MOSFET


1 Descrição

Esses MOSFETs de energia de aprimoramento de canal N usavam o design avançado da tecnologia SGT Trench, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS. 


2 recursos 

● baixa resistência

● Capacitâncias de transferência reversa baixa 

● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único 

● Teste 100% ΔVDS 

• Compatível de revestimento sem Pb / sem halogênio / ROHS


3 aplicações

• Controle e acionamento motor 

• Carga/descarga para o sistema de gerenciamento de bateria 

• retificador síncrono para SMPS


VDSS Rds (on) (Typ) EU IA
100V 15mΩ 50a


download Dispositivo DHS180N10L Specification.pdf

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