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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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100 V/15 mΩ/50 A N-MOSFET TO-252B

Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception avancée de la technologie de tranchée SGT, fournissaient un excellent Rdson et une faible charge de grille. Qui est conforme à la norme RoHS
Disponibilité :
Quantité :

100 V/15 mΩ/50 A N-MOSFET


1 Descriptif

Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception avancée de la technologie de tranchée SGT, fournissaient un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 


2 Caractéristiques 

● Faible résistance

● Faibles capacités de transfert inverse 

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 % 

● Test 100 % ΔVDS 

• Placage sans plomb/sans halogène/conforme RoHS


3 candidatures

• Contrôle et entraînement du moteur 

• Charge/décharge pour le système de gestion de batterie 

• Redresseur synchrone pour SMPS


VDSS RDS (activé) (TYP) IDENTIFIANT
100V 15 mΩ 50A


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