100 V/15 mΩ/50 A N-MOSFET
1 Descriptif
Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception avancée de la technologie de tranchée SGT, fournissaient un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.
2 Caractéristiques
● Faible résistance
● Faibles capacités de transfert inverse
● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %
● Test 100 % ΔVDS
• Placage sans plomb/sans halogène/conforme RoHS
3 candidatures
• Contrôle et entraînement du moteur
• Charge/décharge pour le système de gestion de batterie
• Redresseur synchrone pour SMPS
| VDSS |
RDS (activé) (TYP) |
IDENTIFIANT |
| 100V |
15 mΩ |
50A |