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DSU047N15NA
Wxdh
150V/4.1MΩ/175A N-MOSFET
1 Descrição
Esses MOSFETs de energia de aprimoramento de canal N usavam o design avançado da tecnologia de valas de portão de divisão, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS.
2 recursos
• AEC-Q101 Qualificado
• RDS extremamente baixa na resistência (ON)
• Capacitâncias de transferência reversa baixa
• Teste de energia de avalanche de pulso 100% único
• Teste 100% ΔVDS
• Compatível de revestimento sem Pb / sem halogênio / ROHS
3 aplicações
• Controle e acionamento motor
• Carga/descarga para o sistema de gerenciamento de bateria
• retificador síncrono para SMPS
VDSS | Rds (on) (Typ) | EU IA |
150V | 4.1mΩ | 175a |
150V/4.1MΩ/175A N-MOSFET
1 Descrição
Esses MOSFETs de energia de aprimoramento de canal N usavam o design avançado da tecnologia de valas de portão de divisão, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS.
2 recursos
• AEC-Q101 Qualificado
• RDS extremamente baixa na resistência (ON)
• Capacitâncias de transferência reversa baixa
• Teste de energia de avalanche de pulso 100% único
• Teste 100% ΔVDS
• Compatível de revestimento sem Pb / sem halogênio / ROHS
3 aplicações
• Controle e acionamento motor
• Carga/descarga para o sistema de gerenciamento de bateria
• retificador síncrono para SMPS
VDSS | Rds (on) (Typ) | EU IA |
150V | 4.1mΩ | 175a |