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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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Pacote de pedágio dsu047n15na

Esses MOSFETs de energia de aprimoramento de canal N usavam o design avançado da tecnologia de valas de portão de divisão, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS.
Disponibilidade:
Quantidade:
  • DSU047N15NA

  • Wxdh

150V/4.1MΩ/175A N-MOSFET


1 Descrição 

Esses MOSFETs de energia de aprimoramento de canal N usavam o design avançado da tecnologia de valas de portão de divisão, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS. 


2 recursos 

• AEC-Q101 Qualificado

• RDS extremamente baixa na resistência (ON)

• Capacitâncias de transferência reversa baixa

• Teste de energia de avalanche de pulso 100% único

• Teste 100% ΔVDS

• Compatível de revestimento sem Pb / sem halogênio / ROHS


3 aplicações 

• Controle e acionamento motor

• Carga/descarga para o sistema de gerenciamento de bateria 

• retificador síncrono para SMPS

VDSS Rds (on) (Typ) EU IA
150V 4.1mΩ 175a


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