Availability: | |
---|---|
Dami: | |
DSU047N15NA
Wxdh
150V/4.1MΩ/175A N-MOSFET
1 Paglalarawan
Ang mga N-channel na pagpapahusay ng mode ng MOSFET na ginamit ang advanced na disenyo ng teknolohiya ng trench ng splite gate, ay nagbigay ng mahusay na rdson at mababang singil sa gate. Na naaayon sa pamantayan ng ROHS.
2 Mga Tampok
• Kwalipikado ang AEC-Q101
• Labis na mababang on-resistance RDS (ON)
• Mababang mga kapasidad ng paglilipat ng reverse
• 100% Single Pulse Avalanche Energy Test
• 100% ΔVDS test
• PB-Free Plating / Halogen-Free / ROHS na sumusunod
3 mga aplikasyon
• Kontrol at drive ng motor
• singil/paglabas para sa sistema ng pamamahala ng baterya
• Ang magkakasabay na rectifier para sa mga SMP
VDSS | Rds (on) (typ) | ID |
150V | 4.1MΩ | 175a |
150V/4.1MΩ/175A N-MOSFET
1 Paglalarawan
Ang mga N-channel na pagpapahusay ng mode ng MOSFET na ginamit ang advanced na disenyo ng teknolohiya ng trench ng splite gate, ay nagbigay ng mahusay na rdson at mababang singil sa gate. Na naaayon sa pamantayan ng ROHS.
2 Mga Tampok
• Kwalipikado ang AEC-Q101
• Labis na mababang on-resistance RDS (ON)
• Mababang mga kapasidad ng paglilipat ng reverse
• 100% Single Pulse Avalanche Energy Test
• 100% ΔVDS test
• PB-Free Plating / Halogen-Free / ROHS na sumusunod
3 mga aplikasyon
• Kontrol at drive ng motor
• singil/paglabas para sa sistema ng pamamahala ng baterya
• Ang magkakasabay na rectifier para sa mga SMP
VDSS | Rds (on) (typ) | ID |
150V | 4.1MΩ | 175a |