Πακέτο διοδίων DSU047N15NA

150V/4.1MΩ/175Α N-MOSFET

1 περιγραφή 

Αυτές οι λειτουργίες βελτίωσης N-Channel Power Mosfets χρησιμοποίησαν προηγμένη τεχνολογία τεχνολογίας Trench Splite Gate, παρείχαν εξαιρετική φόρτιση RDSON και χαμηλής πύλης. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS. 

2 χαρακτηριστικά 

• AEC-Q101 εξειδικευμένο

• Εξαιρετικά χαμηλή αντοχή RDS (ON)

• Χαμηλές χωρητικότητες μεταφοράς αντίστροφης μεταφοράς

• 100% ενιαία δοκιμή ενέργειας Avalanche Avalanche

• δοκιμή 100% ΔVDS

• Επιμετώπιση χωρίς PB / χωρίς αλογόνο / ROHS

3 αιτήσεις 

• Έλεγχος και οδήγηση κινητήρα

• Χρέωση/απαλλαγή για σύστημα διαχείρισης μπαταριών 

• σύγχρονος ανορθωτής για SMPS