DSU047N15NA ÜCRET PAKETİ

150V/4.1mΩ/175A N-MOSFET

1 Açıklama 

Bu N-kanal geliştirme modu güç mosfetleri, gelişmiş splitegate hendek teknolojisi tasarımını kullandı ve mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağladı. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler 

• AEC-Q101 onaylı

• Son derece düşük direnç RDS(açık)

• Düşük ters transfer kapasitansları

• %100 tek darbeli çığ enerjisi testi

• %100 ΔVDS testi

• Kurşunsuz kaplama / Halojensiz / RoHS uyumlu

3 Uygulama 

• Motor Kontrolü ve Sürücü

• Pil Yönetim Sistemi için Şarj/Deşarj 

• SMPS için Senkron Doğrultucu

VDSS	RDS(açık)(TİP)	İD
150V	4,1 mΩ	175A