未命名(1)(8) (1)
kapu
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ön itt van: Otthon » Termékek » MOSFET » 12V-300V N MOS » DSU047N15NA DÍJCSOMAG

terhelés

Megosztás:
Facebook megosztás gomb
Twitter megosztás gomb
vonalmegosztás gomb
wechat megosztási gomb
linkedin megosztás gomb
pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztási gomb
oszd meg ezt a megosztási gombot

DSU047N15NA DÍJCSOMAG

Ezek az N-csatornás bővítési módú teljesítmény-mosfetek fejlett osztott kapu-ároktechnológiát alkalmaztak, kiváló Rdson-t és alacsony kaputöltést biztosítottak. Ami megfelel a RoHS szabványnak.
Elérhetőség:
Mennyiség:
Érdeklődni Hozzáadás a kosárhoz

  • DSU047N15NA

  • WXDH

150V/4.1mΩ/175A N-MOSFET


1 Leírás 

Ezek az N-csatornás bővítési módú teljesítmény-mosfetek fejlett osztott kapu-ároktechnológiát alkalmaztak, kiváló Rdson-t és alacsony kaputöltést biztosítottak. Ami megfelel a RoHS szabványnak. 


2 Jellemzők 

• AEC-Q101 minősítéssel

• Rendkívül alacsony bekapcsolási ellenállású RDS(be)

• Alacsony fordított átviteli kapacitás

• 100%-os egyimpulzusos lavina energiateszt

• 100% ΔVDS teszt

• Pb-mentes bevonat / halogénmentes / RoHS-kompatibilis


3 Alkalmazások 

• Motorvezérlés és hajtás

• Töltés/kisütés az akkumulátorkezelő rendszerhez 

• Szinkron egyenirányító SMPS-hez

VDSS RDS(be)(TYP) ID
150V 4,1 mΩ 175A


Előző: 
Következő: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Iratkozzon fel hírlevelünkre
  • készüljön fel a jövőre,
    iratkozzon fel hírlevelünkre, hogy közvetlenül a postaládájába kapja a frissítéseket
    Beküld
Szerzői jog © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technológia by leadong.com