PAQUETE DE PEAJE DSU047N15NA

MOSFET N de 150 V/4,1 mΩ/175 A

1 Descripción 

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de zanja de puerta dividida, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

• Calificación AEC-Q101

• RDS (encendido) de resistencia extremadamente baja

• Bajas capacitancias de transferencia inversa

• Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

• Prueba 100% ΔVDS

• Revestimiento libre de Pb/libre de halógenos/cumple con RoHS

3 aplicaciones 

• Control y accionamiento de motores

• Carga/Descarga del Sistema de Gestión de Baterías 

• Rectificador síncrono para SMPS

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
150V	4,1 mΩ	175A