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DSU047N15NA
Wxdh
150V/4.1MΩ/175A N-MOSFET
1 descripción
Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera de compuerta de espíritu avanzada, proporcionó una excelente carga de Rdson y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
2 características
• AEC-Q101 calificado
• RDS extremadamente bajo en resistencia (encendido)
• Capacitancias de transferencia inversa bajas
• Prueba de energía de avalancha de pulso 100% de un solo pulso
• Prueba de 100% ΔVDS
• Capazante sin PB / sin halógeno / ROHS
3 aplicaciones
• Control y unidad del motor
• Carga/descarga para el sistema de gestión de la batería
• Rectificador sincrónico para SMPS
VDSS | RDS (ON) (typ) | IDENTIFICACIÓN |
150V | 4.1mΩ | 175a |
150V/4.1MΩ/175A N-MOSFET
1 descripción
Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera de compuerta de espíritu avanzada, proporcionó una excelente carga de Rdson y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
2 características
• AEC-Q101 calificado
• RDS extremadamente bajo en resistencia (encendido)
• Capacitancias de transferencia inversa bajas
• Prueba de energía de avalancha de pulso 100% de un solo pulso
• Prueba de 100% ΔVDS
• Capazante sin PB / sin halógeno / ROHS
3 aplicaciones
• Control y unidad del motor
• Carga/descarga para el sistema de gestión de la batería
• Rectificador sincrónico para SMPS
VDSS | RDS (ON) (typ) | IDENTIFICACIÓN |
150V | 4.1mΩ | 175a |