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DSU047N15NA Toll -Paket

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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  • DSU047N15NA

  • Wxdh

150 V/4,1MΩ/175A n-MOSFET


1 Beschreibung 

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

• AEC-Q101 qualifiziert

• Extrem niedrige RDS auf der Resistenz (Ein)

• Niedrige Umkehrtransferkapazität

• 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

• 100% ΔVDS -Test

• Pb-freie Beschichtung / Halogenfrei / ROHS-konform


3 Anwendungen 

• Motorsteuerung und Antrieb

• Ladung/Entladung für das Batteriemanagementsystem 

• Synchroner Gleichrichter für SMPs

VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
150 V 4,1 mΩ 175a


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