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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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DSU047N15NA Mautpaket

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Split-Gate-Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
Verfügbarkeit:
Menge:
  • DSU047N15NA

  • WXDH

150 V/4,1 mΩ/175 A N-MOSFET


1 Beschreibung 

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Split-Gate-Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

• AEC-Q101-qualifiziert

• Extrem niedriger Einschaltwiderstand RDS(on)

• Geringe Rückübertragungskapazitäten

• 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

• 100 % ΔVDS-Test

• Bleifreie Beschichtung / Halogenfrei / RoHS-konform


3 Anwendungen 

• Motorsteuerung und Antrieb

• Laden/Entladen für Batteriemanagementsystem 

• Synchrongleichrichter für SMPS

VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
150V 4,1 mΩ 175A


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