150 V/4,1 mΩ/175 A N-MOSFET
1 Beschreibung
Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Split-Gate-Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
2 Funktionen
• AEC-Q101-qualifiziert
• Extrem niedriger Einschaltwiderstand RDS(on)
• Geringe Rückübertragungskapazitäten
• 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest
• 100 % ΔVDS-Test
• Bleifreie Beschichtung / Halogenfrei / RoHS-konform
3 Anwendungen
• Motorsteuerung und Antrieb
• Laden/Entladen für Batteriemanagementsystem
• Synchrongleichrichter für SMPS
| VDSS |
RDS(ein)(TYP) |
AUSWEIS |
| 150V |
4,1 mΩ |
175A |