värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olete siin: Kodu » Tooted » MOSFET » 12V-300V N MOS » 100V/12mΩ/60A N-MOSFET DSD150N10L3 TO-252B

laadimine

Jaga:
Facebooki jagamisnupp
twitteris jagamise nupp
rea jagamise nupp
wechati jagamisnupp
linkedini jagamisnupp
pinteresti jagamisnupp
whatsapi jagamisnupp
jaga seda jagamisnuppu

100V/12mΩ/60A N-MOSFET DSD150N10L3 TO-252B

Need N-kanaliga täiustatud vdmosfetid on saadud isejoonduva tasapinnalise tehnoloogia abil, mis vähendab juhtivuse kadu, parandab lülitusjõudlust
ja suurendab laviini energiat. Mis vastab RoHS standardile.
Saadavus:
Kogus:

100V/12mΩ/60A N-MOSFET


1 Kirjeldus 

Need N-kanaliga täiustatud vdmosfetid saadakse isejoondunud tasapinnalise tehnoloogia abil, mis vähendab juhtivuse kadu, parandab lülitusjõudlust ja suurendab laviini energiat. Mis vastab RoHS standardile.

2. Funktsioon

● Madal takistus (Rdson≤1,4Ω)

● Madal pöördülekande mahtuvus (tüüp: 5,5 pF) 

● 100% ühe impulsi laviini energia test 

● 100% ΔVDS test 

  • Pb-vaba plaadistus / halogeenivaba / RoHS-ühilduv


3 Rakendused 

• Mootori juhtimine ja ajam 

• Akuhaldussüsteemi laadimine/tühjenemine

• SMPS-i sünkroonalaldi


VDSS RDS (sees) (TYP) ID
100V 12 mΩ 60A


Eelmine: 
Järgmine: 
  • Liituge meie uudiskirjaga
  • valmistuge tulevikuks
    registreeruge meie uudiskirja saamiseks, et saada värskendused otse oma postkasti