kapu
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Itt vagy: Otthon » Termékek » Mosfet » 12V-300V N MOS » 100v/12mΩ/60A N-MOSFET DSD150N10L3 TO-252B

terhelés

Ossza meg:
Facebook megosztási gomb
Twitter megosztási gomb
vonalmegosztó gomb
WeChat megosztási gomb
LinkedIn megosztási gomb
Pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztás gomb
Sharethis megosztási gomb

100V/12MΩ/60A N-MOSFET DSD150N10L3 TO-252B

Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási
teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
Elérhetőség:
mennyiség:

100V/12MΩ/60A N-MOSFET


1 Leírás 

Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely megfelel a ROHS szabványnak.

2.Fényezés

● Alacsony az ellenállás (rdson≤1,4Ω)

● Alacsony fordított átviteli kapacitások (TIP: 5.5pf) 

● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt 

● 100% ΔVDS teszt 

  • PB-mentes bevonás / halogénmentes / ROHS kompatibilis


3 alkalmazás 

• A motorvezérlés és a hajtás 

• Töltse fel/ürítse az akkumulátorkezelő rendszert

• Szinkron egyenirányító az SMP -k számára


VDSS Rds (be) (typ) Személyazonosság
100 V -os 12MΩ 60A


Előző: 
Következő: 
  • Iratkozzon fel hírlevelünkre
  • Készüljön fel a jövőre,
    regisztráljon hírlevelünkre, hogy egyenesen frissítéseket kapjon a postaládájába