100V/12mΩ/60A N-MOSFET DSD150N10L3 TO-252B

100V/12mΩ/60A N-MOSFET

1 Leírás 

Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett vdmosfeteket az önbeálló síktechnológia biztosítja, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és növeli a lavina energiáját. Ami megfelel a RoHS szabványnak.

2.Funkció

● Alacsony ellenállás (Rdson≤1,4Ω)

● Alacsony fordított átviteli kapacitás (Típus: 5,5 pF) 

● 100%-os egyimpulzusos lavina energiateszt 

● 100% ΔVDS teszt 

• Pb-mentes bevonat / halogénmentes / RoHS-kompatibilis

3 Alkalmazások 

• Motorvezérlés és hajtás 

• Töltés/kisütés az akkumulátorkezelő rendszerhez

• Szinkron egyenirányító SMPS-hez

VDSS	RDS(be)(TYP)	ID
100V	12 mΩ	60A