100V/12mΩ/60A N-MOSFET
1 Penerangan
Vdmosfet dipertingkatkan saluran-N ini, diperolehi oleh teknologi satah sejajar sendiri yang mengurangkan kehilangan pengaliran, meningkatkan prestasi pensuisan dan meningkatkan tenaga salji. Yang sesuai dengan piawaian RoHS.
2.Ciri
● Rintangan rendah (Rdson≤1.4Ω)
● Kapasiti pemindahan terbalik yang rendah (Jenis: 5.5pF)
● 100% ujian tenaga salji nadi tunggal
● 100% ujian ΔVDS
3 Aplikasi
• Kawalan Motor dan Pandu
• Caj/Nyahcas untuk Sistem Pengurusan Bateri
• Penerus Segerak untuk SMPS
| VDSS |
RDS(on)(TYP) |
ID |
| 100V |
12mΩ |
60A |