100V/12mΩ/60A N-MOSFET
1 መግለጫ
እነዚህ ኤን-ቻናል የተሻሻሉ vdmosfets፣ በራስ-የተሰለጠነ የፕላነር ቴክኖሎጂ የተገኙት የማስተላለፊያ መጥፋትን የሚቀንስ፣ የመቀያየር አፈጻጸምን የሚያሻሽል እና የጎርፍ ሃይልን ይጨምራል። የትኛው ከRoHS መስፈርት ጋር ይስማማል።
2. ባህሪ
● የመቋቋም ችሎታ ዝቅተኛ (Rdson≤1.4Ω)
● ዝቅተኛ የዝውውር አቅም (አይነት፡ 5.5pF)
● 100% ነጠላ የpulse avalanche energy ሙከራ
● 100% ΔVDS ፈተና
3 መተግበሪያዎች
• የሞተር ቁጥጥር እና መንዳት
• ለባትሪ አስተዳደር ስርዓት ክፍያ/ማስወጣት
• የተመሳሰለ Rectifier ለ SMPS
| ቪዲኤስኤስ |
RDS(በርቷል)(TYP) |
መታወቂያ |
| 100 ቪ |
12mΩ |
60A |