geçit
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Buradasınız: Ev » Ürünler » Mosfet » 12V-300V N MOS » 100V/12MΩ/60A N-MOSFET DSD150N10L3 TO-252B

yükleme

Paylaşın:
Facebook Paylaşım Düğmesi
Twitter Paylaşım Düğmesi
Hat Paylaşım Düğmesi
WeChat Paylaşım Düğmesi
LinkedIn Paylaşım Düğmesi
Pinterest Paylaşım Düğmesi
WhatsApp Paylaşım Düğmesi
sharethis paylaşım düğmesi

100V/12MΩ/60A N-MOSFET DSD150N10L3 TO-252B

Bu N-kanallı geliştirilmiş VDMOSFET'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama
performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendi kendine hizalanmış düzlemsel teknoloji ile elde edilir. ROHS standardı ile uyumludur.
Kullanılabilirlik:
Miktar:

100v/12mΩ/60A n-mosfet


1 Açıklama 

Bu N-kanallı geliştirilmiş VDMOSFET'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendi kendine hizalanmış düzlemsel teknoloji ile elde edilir. ROHS standardı ile uyumludur.

2. Özellik

● Direnç düşük (RDSON≤1.4Ω)

● Düşük ters transfer kapasitansları (tip: 5.5pf) 

●% 100 tek nabız çığ enerji testi 

●% 100 ΔVDS testi 

  • PB içermeyen kaplama / halojensiz / rohs uyumlu


3 Uygulama 

• Motor kontrolü ve sürüşü 

• Pil yönetim sistemi için şarj/deşarj

• SMP'ler için senkron doğrultucu


VDSS RDS (ON) (tip) İD
100V 12mΩ 60a


Öncesi: 
Sonraki: 
  • Bültenimize kaydolun
  • Geleceğe Hazır Olun
    Bültenimize doğrudan gelen kutunuza güncellemeler almak için kaydolun