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100 V/12mΩ/60A N-MOSFET DSD150N10L3 bis 252B

Diese N-Channel-verstärkten VDMOSFETs werden von der selbst ausgerichteten planaren Technologie erhalten, die den Leitungsverlust verringert, die Schaltleistung verbessert
und die Lawinenenergie verbessert. Das entspricht dem ROHS -Standard.

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Modell:
DSD150N10L3
Marke:
Wxdh
Modell:
DSD150N10L3
Paket:
To-252b
Datenblatt:
Donghai_dsd150n10l3 & dsb150n10l3_datasheet_v1.0.pdf
V:
100V
A:
60a

Produktbeschreibung

100 V/12mΩ/60A n-Mosfet

1 Beschreibung

Diese N-Channel-verstärkten VDMOSFETs werden von der selbst ausgerichteten planaren Technologie erhalten, die den Leitungsverlust verringert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie verbessert. Das entspricht dem ROHS -Standard.

2. Feature

● Niedrig des Widerstands (RDSON ≤ 1,4 Ω)

● Niedrige Umkehrtransferkapazität (Typ: 5.5PF)

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test

Pb-freie Beschichtung / Halogenfrei / ROHS-konform

3 Anwendungen

• Motorsteuerung und Antrieb

• Ladung/Entladung für das Batteriemanagementsystem

• Synchroner Gleichrichter für SMPs

VDSS	RDS (ON) (Typ)	AUSWEIS
100V	12m Ω	60a

Mosfet