未命名 (1) (8) (1)
Tor
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
Sie sind hier: Heim » Produkte » Mosfet » 12V-300V n Mos » » 100V/12mΩ/60A n-MOSFET DSD150N10L3 bis 252B

Laden

Teilen an:
Facebook Sharing Button
Twitter Sharing -Schaltfläche
Leitungsfreigabe -Taste
Wechat Sharing -Taste
LinkedIn Sharing -Taste
Pinterest Sharing -Taste
WhatsApp Sharing -Taste
Sharethis Sharing Button

100 V/12mΩ/60A N-MOSFET DSD150N10L3 bis 252B

Diese N-Channel-verstärkten VDMOSFETs werden von der selbst ausgerichteten planaren Technologie erhalten, die den Leitungsverlust verringert, die Schaltleistung verbessert
und die Lawinenenergie verbessert. Das entspricht dem ROHS -Standard.
Verfügbarkeit:
Menge:
Erkundigen Zum Korb geben

100 V/12mΩ/60A n-Mosfet


1 Beschreibung 

Diese N-Channel-verstärkten VDMOSFETs werden von der selbst ausgerichteten planaren Technologie erhalten, die den Leitungsverlust verringert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie verbessert. Das entspricht dem ROHS -Standard.

2. Feature

● Niedrig des Widerstands (RDSON ≤ 1,4 Ω)

● Niedrige Umkehrtransferkapazität (Typ: 5.5PF) 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 

  • Pb-freie Beschichtung / Halogenfrei / ROHS-konform


3 Anwendungen 

• Motorsteuerung und Antrieb 

• Ladung/Entladung für das Batteriemanagementsystem

• Synchroner Gleichrichter für SMPs


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
100V 12m Ω 60a


Vorherige: 
Nächste: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
  • Melden Sie sich für unseren Newsletter an
  • Sie sich bereit für die Zukunft
    Machen
    Einreichen
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology von Leadong.com