100 V/12 mΩ/60 A N-MOSFET DSD150N10L3 TO-252B

100 V/12 mΩ/60 A N-MOSFET

1 Beschreibung 

Diese N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie erreicht, die den Leitungsverlust reduziert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie erhöht. Was dem RoHS-Standard entspricht.

2.Funktion

● Niedriger Einschaltwiderstand (Rdson≤1,4Ω)

● Geringe Rückübertragungskapazitäten (Typ: 5,5 pF) 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

• Bleifreie Beschichtung / Halogenfrei / RoHS-konform

3 Anwendungen 

• Motorsteuerung und Antrieb 

• Laden/Entladen für Batteriemanagementsystem

• Synchrongleichrichter für SMPS

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
100V	12mΩ	60A